11月10-11日，由全球电子技术领域知名媒体集团 ASPENCORE 举办的“国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）”在深圳隆重举行。比亚迪半导体受邀参会，在 10 日同期举办的“全球电子成就奖”颁奖礼上，比亚迪半导体超级混动DM4.0 IGBT模块 荣膺“年度功率半导体/驱动器”创新产品奖。颁奖典礼上，比亚迪半导体股份有限公司副总经理杨钦耀先生作为代表上台领奖。此次获奖的超级混动DM4.0 IGBT模块，采用比亚迪半导体自研高性能IGBT和超快速软恢复二极管芯片技术，拥有极低损耗和优异的过流能力，处于行业领先水平；其集成模块同时拥有逆变和升压部分，与驱动模块成套配合，集成度高，节省空间；同时模块全部使用Pin-fin结构直接水冷底板，散热效率高。依据不同使用需求，模块可选用氮化硅、氧化铝陶瓷及粗、细针底板，精细适配；其端子以及内部电路布局合理，拥有低杂散电感，工作可靠。